1.目前内置电场迁移率模型
1.1常数迁移率
直接设置在mac文件中写：
模型的选择，在mac中设置，如：
el_vel_model=constant
electron_mobility value=15.e-4
1.2分段迁移率模型
临界场强为F0，小于F0时迁移率为 $$\mu_0$$ 大于F时迁移率为 $$\mu_0\times F0/F$$
el_vel_model=2.piece
1.3 Canali orbeta 模型
el_vel_model=beta
beta_n value=2
beta_p value=1
1.4n.gaas 氮化镓器件的修正迁移率
一般常见于3，5族半导体材料，代表为gaas的电子，具有负的微分电阻。 这个开启可以mac中搜索n.gaas语句的用法，这个开启后，设置迁移率为常数就不会生效了 el_vel_model=n.gaas
1.5 Poole-Frenkel模型
针对有机半导体
el_vel_model=poole_frenkel
1.6 modified_transf_elec
在自定义mac中修改，只用于电子,如:
el_vel_model=modified_transf_elec
beta_mte value=5.7
1.7自定义方式
指令：user_defined_mobility
2.各向异性迁移率模型
在sol 文件中设置：mobility_xy
3.掺杂迁移率模型
low_field_mobility_model 这个指令是针对掺杂，载流子散射，表面效果三种作用的综合模型
$$\frac{1}{\mu} = \frac{1}{\mu_{dop}} + \frac{1}{\mu_{carr}} + \frac{1}{\mu_{surf}} $$
3.1 doping依赖
Masetti
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_mase_，hole_mase_
Arora模型
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_ar_，hole_ar_
University of Bologna
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_uni_bolo_，hole_uni_bolo_
3.2 载流子散射
Conwell-Weisskopf
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_con_wei_，hole_con_wei_
Brooks-Herring
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_bro_her_，hole_bro_her_
3.3 Philips unified model
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_phili_，hole_phili_
3.4 表面迁移率退化
不要和mobility_xy一起使用
University of Bologna Inversion Layer
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_uni_boloinve_，hole_uni_boloinve_
Enhanced Lombardi
命令low_field_mobility_model+以下2种开头的参数名，el_lombard_，hole_lombard_
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