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石墨烯的几种制备方法


目前石墨烯制备方法主要包括化学气相沉积法、溶剂剥离法、氧化还原法、微机械剥离法、外延生长法、电弧法、有机合成法、电化学法等,具体如下所述。

  1. 化学气相沉积法(CVD)

所谓CVD法,指的是反应物质于气态条件下产生化学反应,进而在加热固态基体表生成固态物质,从而实现固体材料的制成的工艺技术 】。目前,以CVD法进行石墨烯制备时通过将碳氢化合物等含碳气体通入以镍为基片、管状的简易沉积炉中,通过高温将含碳气体

分解为碳原子使其沉积于镍的表面,进而形成石墨烯,再通过轻微化学刻蚀来使镍片与石墨烯薄膜分离,从而获得石墨烯薄膜。该薄膜处于透光率为80% 的状态下时其导电率便高达1.1×106S/m。通过C

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材料过渡处的一种计算方式


半导体物理中,kp模型可以用来描述轨道角动量和自旋角动量的耦合后的能级。

上述应用场景是理想的均质条件。材料渐变场景或者突变周期较长的场景也可以近似使用。

在材料交替周期非常短的场景,如超晶格结构,能级的描述就需要考交界处的扰动。

基矢,交界处的相互作用(eV) 如下 $$|\frac{3}{2},\frac{3}{2}>, |\frac{3}{2},\frac{1}{2}>,|\frac{1}{2},\frac{1}{2}>, |\frac{3}{2},-\frac{3}{2}>,|\frac{3}{2},-\frac{1}{2}>,|\frac{1}{2},-

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