由于入土时间早，避免了流传中由于避讳或其他原因产生的偏差改动，更接近老子原精神。

德篇 原文

论德01

上德不德，是以有德；下德不失德，是以无德。

上德无为，而无以为也；上仁为之，而无以为也；上义为之，而有以为也。上礼为之，而莫之应也，则攘臂而乃之。

故失道而后德，失德而后仁，失仁而后义，失义而后礼。夫礼者，忠信之泊也，而乱之首也。

前识者，道之华也，而愚之首也。

是以大丈夫居其厚，而不居其泊；居其实，而不居其华。故去皮取此。

得一02

昔之得一者：天得一以清，地得一以宁，神得一以灵，浴得一以盈，侯王得一以为天下正。其至之也。

谓天毋已清将恐裂，谓地毋已宁将恐发，谓神毋已灵将恐歇，谓浴毋已盈将

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目前石墨烯制备方法主要包括化学气相沉积法、溶剂剥离法、氧化还原法、微机械剥离法、外延生长法、电弧法、有机合成法、电化学法等，具体如下所述。

1. 化学气相沉积法(CVD)

所谓CVD法，指的是反应物质于气态条件下产生化学反应，进而在加热固态基体表生成固态物质，从而实现固体材料的制成的工艺技术 】。目前，以CVD法进行石墨烯制备时通过将碳氢化合物等含碳气体通入以镍为基片、管状的简易沉积炉中，通过高温将含碳气体

分解为碳原子使其沉积于镍的表面，进而形成石墨烯，再通过轻微化学刻蚀来使镍片与石墨烯薄膜分离，从而获得石墨烯薄膜。该薄膜处于透光率为80％ 的状态下时其导电率便高达1．1×106S／m。通过C

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crosslight仿真之(零)系列目录

1.目前内置电场迁移率模型

1.1常数迁移率

直接设置在mac文件中写：

模型的选择，在mac中设置，如：

el_vel_model=constant
electron_mobility value=15.e-4

1.2分段迁移率模型

临界场强为F0，小于F0时迁移率为 $$\mu_0$$ 大于F时迁移率为 $$\mu_0\times F0/F$$

el_vel_model=2.piece

1.3 Canali orbeta 模型

el_vel_model=beta

beta_n value=2
beta_p value=1

1.4n.g

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可以设置的位置

1.在in文件中使用：

除了在工艺流程中注入掺杂元素，还需要在末尾增加激活语句，方能生效。如：

implant phosphorus dose=1.5E12 energy=150 activation.mode phosphorus fraction=1 force.activation=t

2.在layer文件中使用：

除了常规含doping的语句（随便找一个例子）

adjust_doping可以更精细的设置掺杂的属性。

3.在sol文件中使用：

doping

求解sol文件时

1. 通常场景

默认使用shallow dopants

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